[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-13] アモルファス Hf_1-xZr_xO₂/Si(001)の熱処理に伴う結晶化と結晶構造

〇高瀬 慶人¹、藤尾 亮汰¹、石丸 学¹、右田 真司²、内田 紀行² (1.九工大、2.産総研)

キーワード：強誘電体、HfO2

HfO₂とZrO₂の複合酸化物であるHf_1-xZr_xO₂ (HZO)は電界効果トランジスタの新規強誘電体ゲート絶縁膜材料として注目されている。HZOには単斜晶、正方晶、斜方晶の結晶構造が存在し、デバイス性能の向上には結晶構造の制御が必要不可欠である。本研究では、単結晶Si基板上に成膜したアモルファスHZOの結晶化に及ぼす組成および熱処理温度の影響を薄膜X線回折法と透過電子顕微鏡法により調査した。