[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-15] HfO₂系強誘電体キャパシタにおける絶縁破壊過程の非破壊観察: オペランドレーザー励起光電子顕微鏡

〇藤原 弘和¹、糸矢 祐喜²、小林 正治³、Bareille Cédric^4,5、辛 埴^5,6、谷内 敏之^4,5 (1.東大物性研、2.東大生産研、3.東大d.lab、4.東大新領域、5.東大MIRC、6.東大特別教授室)

キーワード：強誘電体、酸化物デバイス、光電子顕微鏡

HfZrO₄(HZO)を用いた強誘電体キャパシタはACストレス印加によって絶縁破壊(DB)を起こす。これがデバイス寿命を決める一要因である。本研究ではDB過程解明のために、HZOキャパシタに対してオペランドレーザー励起光電子顕微鏡観察を行った。ハードDB直後に、キャパシタ中に低強度スポットを観測した。本成果はDB後に形成された伝導パスを非破壊で可視化することに成功したものである。