[22p-B204-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22p-B204-2] Suppression of Ga diffusion in SiO₂/GaN Structures Formed by Sputter Deposition of SiO₂

〇(B)Kentaro Onishi¹, Takuma Kobayashi¹, Hidetoshi Mizobata¹, Mikito Nozaki¹, Akitaka Yoshigoe², Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.JAEA)

Keywords:GaN, MOS, semiconductor

縦型GaN デバイスの応用には高品質MOS構造の形成が不可欠である。プラズマCVDによるSiO₂成膜とO₂-PDAの組み合わせにより優れたSiO₂/GaN 界面特性が得られるが，成膜時にGaO_x界面層が形成され，O₂-PDA により成長する過程でGa原子がSiO₂中に拡散する。一方で，スパッタ成膜では界面のGaO_x層が抑制できる。従って本研究では，そのような界面に対しPDA時のGa拡散挙動をSIMS分析により調査した。また，SR-XPSによりPDA時のGaO_x層成長を観察することで，拡散挙動との相関を調べた。