[23a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-B204-2] i線ステッパーによる150 nm級Y型ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製

〇安藤 裕二^1,2、高橋 英匡¹、牧迫 隆太郎¹、分島 彰男³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ

我々はi線ステッパー露光とサーマルリフロー法を組み合わせた高スループットな微細ゲート形成プロセスを開発し、GaN-HEMTに適用した。前回報告したGaN-HEMTは寄生容量が大きい課題があったことから、今回はサーマルリフロー法を用いつつ寄生容量を低減したY型ゲートプロセスを開発した。作製したGaN-HEMTは前回の素子よりfTとfmaxが改善しており、寄生容量低減の効果を確認した。