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[23a-C200-4] 有機金属気相エピタキシャル法を用いた高アスペクト比GaN:Eu/GaNナノワイヤの成長と光学評価
キーワード:ナノワイヤ、希土類添加半導体
超スマート社会実現に向けた次世代ディスプレイ技術として、素子サイズを格段に小型化できるナノワイヤに注目し、有機金属気相エピタキシャル法により位置制御されたGaNコアナノワイヤ上に赤色蛍光体であるEuを添加する結晶成長技術の確立を図ってきた。今回、電流注入・フレキシブル化実現に向けた要素技術の一つとして、高アスペクト比のGaN:Eu/GaNナノワイヤ構造を成長する技術を確立した。