[23a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23a-C200-4] 有機金属気相エピタキシャル法を用いた高アスペクト比GaN:Eu/GaNナノワイヤの成長と光学評価

吉村 拓真¹、〇館林 潤^1,2、大田原 崇也¹、Timmerman Dolf¹、市川 修平^1,3、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大量子情報・量子生命研究センター、3.阪大電顕センター)

キーワード：ナノワイヤ、希土類添加半導体

超スマート社会実現に向けた次世代ディスプレイ技術として、素子サイズを格段に小型化できるナノワイヤに注目し、有機金属気相エピタキシャル法により位置制御されたGaNコアナノワイヤ上に赤色蛍光体であるEuを添加する結晶成長技術の確立を図ってきた。今回、電流注入・フレキシブル化実現に向けた要素技術の一つとして、高アスペクト比のGaN:Eu/GaNナノワイヤ構造を成長する技術を確立した。