[23a-P04-1~2] 13.3 絶縁膜技術

[23a-P04-1] Si₃N₄膜とSiO₂膜中のハロゲンイオンの安定位置での生成エネルギー

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：耐湿性、ハロゲンイオン、分子軌道計算

膜でのハロゲンイオン透過中の安定位置での生成エネルギー⊿H_dを半経験的分子軌道法で計算した．⊿H_dがイオンと網目の変形および静電相互作用と等しいとすることで2価の方が1価より⊿H_dが大きいことが説明できた。