[23p-B204-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23p-B204-8] 容量過渡応答によるn型AlNの深い準位の評価

〇廣木 正伸¹、佐藤 慶典¹、谷保 芳孝¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlN

今回、AlNショットキーダイオードの容量過渡応答測定（DLTS：Deep Level Transient Spectroscopy）から深い準位の評価を行った。Siを高濃度ドープした試料では高温領域にピークが出現した。アレニウスプロットにより見積もったピークの準位はそれぞれ1.1 eV, 1.5 eVであった。自己補償効果により形成された深い準位の欠陥の可能性が示唆される。