[22a-E302-1~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-E302-1] HEMTの出力アドミッタンスのシミュレーション

〇福田 浩一¹、服部 淳一¹、浅井 栄大¹、池上 努¹、井手 利英¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：GaN HEMT、デバイスシミュレーション、トラップ準位

自動微分機能を備えたデバイスシミュレータに半導体の基本方程式とトラップのレート方程式をカップルして組み込み、GaN HEMTの出力アドミッタンスのシミュレーションにおいて自己無撞着な解が安定して得られた。