[23a-E307-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23a-E307-7] pMOSシリコン量子ドットにおける電荷ノイズのスペクトル評価

〇中越 一真¹、高橋 洋貴¹、溝口 来成¹、米田 淳¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大)

キーワード：シリコン量子ドット、量子ビット、電荷ノイズ

シリコン量子コンピュータの実現に向け、量子ビットのコヒーレンス時間に影響を与える電荷ノイズについて理解することは重要である。本研究では電流のスペクトル密度から、pMOSシリコン量子ドットの電荷ノイズを極低温環境下で評価した。低周波領域においては1/fの周波数特性を、数Hz周辺ではローレンツ型の特徴的なスペクトル成分を観測した。講演では電荷ノイズを与える微視的機構の候補や温度依存性についても議論する。