[23p-E307-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23p-E307-19] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (2) -アクセプタ型準位-

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：MOS界面、両性欠陥、電子捕獲素過程

両性界面欠陥における電子捕獲の挙動を明らかにするため，まずは単純な素過程の一つ，Acceptorlike準位における伝導帯電子の捕獲過程を取り上げる．この目的のために，Donorlike準位への伝導帯電子の捕獲過程を排除できる欠陥を選択した．講演では，評価法を述べると共に，3つの試料から得た捕獲時定数（56±4 ns）を示す．これらの値がほぼ同一であることの物理的意味については次の講演で述べる．