[24a-E103-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24a-E103-11] ミニマルレーザ加熱装置の温度補正(Ⅱ)

〇佐藤 和重^1,3、千葉 貴史^1,3、寺田 昌男^1,3、濱田 健吾^1,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード：ミニマルファブ、レーザ加熱

ミニマルレーザ加熱装置を、イオン注入後の活性化アニールへの適用を想定し、TiNゲート電極のウェハ占有率を変え加熱への影響等を調べた。