[25a-E104-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25a-E104-1] プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～低温パッシベーションにおけるArイオンの効果～

〇布村 正太¹、坂田 功¹ (1.産総研)

キーワード：欠陥、イオン、界面

太陽電池等のオプトエレクトロニックデバイスにおいて、シリコン(c-Si)等の活性層の表面パッシベーションは重要な役割を担う。表面パッシベーションは、表面の欠陥（dangling bond等）を終端しキャリアの再結合を低減する技術で、一般に、ワイドギャップ材をプラズマＣＶＤ法によりc-Si上に成膜することによって実現される。通常、良質なパッシベーションを得るためには、百数十℃以上の成膜温度を必要とするが、用途によっては、フレキシブル基材等の制約により、100℃以下の低温で成膜することが求められる。そこで今回、低温における水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）の成膜を一例として取り上げ、Arプラズマを用いた後処理によるパッシベーション性能の向上について調べたので報告する。