[25a-E104-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25a-E104-3] p-GaN表面の反応性ドライエッチング特性

〇戸田 晋太郎¹、野末 竜弘¹、神崎 伯夫²、宮永 和恒²、寺島 雅弘³、飯田 真一³、藤原 康文² (1.アルバック協働研、2.阪大院工、3.アルバック・ファイ)

キーワード：p型窒化ガリウム、反応性ドライエッチング

p型窒化ガリウム(p-GaN)の反応性ドライエッチングにおいて、表面にダメージが導入されることによって特性が劣化する問題がある。本研究では2ステップ低バイアスエッチング処理によってダメージが低減される手法を見出した。また、紫外光電子分光法および低エネルギー逆電子分光法によってエッチング前後のp-GaN表面のバンド構造を評価し、ダメージによる特性劣化の起源を考察した。