The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[25a-E104-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Fri. Mar 25, 2022 9:00 AM - 12:00 PM E104 (E104)

Masanaga Fukasawa(Sony Semiconductor Solutions), Masanobu Honda(Tokyo Electron Miyagi)

9:15 AM - 9:30 AM

[25a-E104-2] A Comparative Study on Relationship between Mechanical and Electrical Property Change in Silicon Nitride Films Damaged by Plasma Exposure

〇Takahiro Goya1, Tomohiro Kuyama1,2, Keiichiro Urabe1, Koji Eriguchi1 (1.Kyoto Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:plasma induced damage, mechanical property, silicon nitride

プラズマプロセス時に絶縁膜中に形成されるプラズマダメージはデバイス特性や信頼性に重大な影響を及ぼす.繰り返しナノインデンテーションはプラズマダメージによる機械特性変化の高精度な解析が期待されている一方で,従来の電気特性評価との相関に関する検討は十分でなかった.本研究では,プラズマ曝露前後でのシリコン窒化膜の機械特性変化と電気特性変化との相関を詳細に調べ,プラズマダメージの機構について議論する.