[25a-E104-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[25a-E104-1] Plasma-induced defects ~ Positive effects of Ar ions on low-temperature Si surface passivation~

〇Shota Nunomura¹, Isao Sakata¹ (1.AIST)

Keywords:defects, ion, interface

太陽電池等のオプトエレクトロニックデバイスにおいて、シリコン(c-Si)等の活性層の表面パッシベーションは重要な役割を担う。表面パッシベーションは、表面の欠陥（dangling bond等）を終端しキャリアの再結合を低減する技術で、一般に、ワイドギャップ材をプラズマＣＶＤ法によりc-Si上に成膜することによって実現される。通常、良質なパッシベーションを得るためには、百数十℃以上の成膜温度を必要とするが、用途によっては、フレキシブル基材等の制約により、100℃以下の低温で成膜することが求められる。そこで今回、低温における水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）の成膜を一例として取り上げ、Arプラズマを用いた後処理によるパッシベーション性能の向上について調べたので報告する。