[25a-E104-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25a-E104-7] C₄F₈/SF₆ガス変調サイクルにおいてバイアス印加位相がエッチング形状に及ぼす影響

〇吉江 泰斗¹、堤 隆嘉¹、石川 健治¹、近藤 博基¹、関根 誠¹、堀 勝¹ (1.名古屋大学)

キーワード：プラズマエッチング、半導体、ガス変調サイクルプロセス