[25p-E202-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [25p-E202-13] 出発原料にIn₂O₃パウダーおよびIn(acac)₃を用いたMist CVD法によるα-In₂O₃成長と電気的特性評価

〇田口 義士¹、金子 健太郎²、藤田 静雄²、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹ (1.工学院大、2.京都大)

キーワード：Mist CVD、酸化インジウム、出発原料

出発原料にIn₂O₃パウダーおよびIn(acac)₃を用いたMist CVD法によるα-In₂O₃成長を行った。どちらの出発原料においても、原料溶液中の塩酸濃度を増加させることで、α-In₂O₃の単相化が確認された。In₂O₃パウダーを用いて成長した試料はIn(acac)₃を用いて成長した試料に比べ、小さいキャリア濃度および大きい移動度を示しており、10¹⁷ cm^-3乗台のキャリア濃度、250 cm²/Vsを超える移動度の単相α-In₂O₃が得られた。