[25p-E202-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [25p-E202-14] ミストCVD法を用いた NiO 成長における成長温度の影響

〇上野 暢路¹、池之上 卓己¹、三宅 正男¹、平藤 哲司¹ (1.京大院エネ)

キーワード：ワイドギャップ、酸化ニッケル、薄膜

本研究では、ミスト CVD 法を用いたMgO (100) 基板上 NiO 薄膜成長について、成長温度の影響を調べた。XRD による解析から、成長温度200–600 °C で NiO のエピタキシャル成長が確認された。一方、700 °C 以上の試料は基板由来の Mg の拡散が示唆された。AFM で表面状態を観察すると、200–500 °Cでは島状成長が確認された一方、600 °C では非常に平坦な膜が成長していることが分かった。講演会では、エピタキシャル歪みの緩和に伴う結晶性の変化についても議論する。