PZT薄膜を用いた極薄ハプティックMEMSデバイスの開発

16:15 〜 16:30

[25p-E305-11] PZT薄膜を用いた極薄ハプティックMEMSデバイスの開発

〇竹下俊弘¹、Nguyen Thanh Vinh¹、Zymelka Daniel¹、竹井祐介¹、小林健¹ (1.産総研)

キーワード：ハプティックMEMSデバイス、極薄MEMS、PZT

フレキシブルハイブリッドエレクトロニクス(FHE)デバイスは軽量・柔軟という特徴のため，生体情報のセンシングデバイスとしての応用が期待されている。本発表ではPZT薄膜を用いて作製した極薄ハプテックMEMSデバイスの開発について述べる．