[25p-E305-1~18] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [25p-E305-4] Enhancement of crystal anisotropy and ferroelectric property by decreasing thickness in (Al,Sc)N films

〇(D)Shinnosuke Yasuoka¹, Ryoichi Mizutani¹, Reika Ota¹, Takahisa Shiraishi¹, Takao Shimizu^1,2,3, Shintaro Yasui¹, Yoshitaka Ehara⁴, Ken Nishida⁴, Masato Uehara⁵, Hiroshi Yamada⁵, Morito Akiyama⁵, Yasuhiko Imai⁶, Osami Sakata⁶, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.NIMS, 3.JST PREST, 4.NDA, 5.AIST, 6.JASRI)

Keywords:ferroelectric, (Al,Sc)N, thin film

ペロブスカイト型構造の強誘電体材料はサイズ効果によって、膜厚の減少に伴う残留分極値P_rの減少が知られている。強誘電体(Al,Sc)Nにおける膜厚依存性の研究はこれまでにいくつか報告されているが、薄膜化に伴う結晶構造解析の困難さから強誘電特性と結晶構造の関係については詳細に議論されていない。本研究では放射光を用いた高輝度かつ高強度のX線回折により、膜厚12~130 nmの(Al,Sc)N膜の結晶構造と強誘電特性の関係を調査したので報告する。