[25p-E307-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[25p-E307-11] HMDS-CVDによるTSV絶縁層の低温形成技術の検討

〇田中 文悟¹、大西 青葉²、番場 崚太郎¹、木野 久志²、福島 誉史^2,3、田中 徹^2,3 (1.東北大工、2.東北大院医工、3.東北大院工)

キーワード：半導体、人工網膜、酸化膜