[25p-P09-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[25p-P09-5] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCH-MQW 埋込レーザの発振特性改善

〇青木 彩絵¹、澁川 航大¹、韓 旭¹、佐藤 元就¹、伊藤 慎吾¹、阿形 幸二¹、矢田 涼介¹、下村 和彦¹ (1.上智大工)

キーワード：半導体レーザー

薄膜InPをシリコンに直接貼り付けをしたInP/Si上に，MOVPE法を用いて光デバイスの作製及び集積する手法を提案する. MOVPE法により作製したGaInAsP SCH-MQWレーザをメサ構造へと加工することで，しきい値電流値の低減を実現させた. 今回，活性層における散乱損失の低下と放熱性の改善を狙い，メサ構造作製後に，2回目の成長として活性層付近にp-InP ，n-InP層を埋め込むことで，埋込(BH)レーザ構造を作製した．