[26p-E104-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[26p-E104-2] Influence of surface structure by carbon coating of high-dose implanted/annealed SiC

〇Kotaro Ishiji¹, Makoto Arita², Mariko Adachi³ (1.SAGA-LS, 2.Kyushu Univ., 3.Nanophoton)

Keywords:SiC, implanted layer structure, Scanning probe microscopy

イオン注入SiCのアニール過程では、表面荒れを防ぐためカーボンをコーティングする。しかし、高濃度注入において、アニールしても結晶回復せず格子乱れが残る。そこで、高濃度注入SiCのカーボンコーティングした試料とコーティングしない試料に高温アニールを行い、走査型プローブ顕微鏡でコーティングによる表面構造の影響を調査した。その結果、コーティングした試料の表面にユニークな規則的構造が見られた。