[26p-E301-1~12] 3.13 半導体光デバイス

△ [26p-E301-5] 静電破壊されたInP/InGaAsフォトダイオード故障解析

〇伊藤 佑太¹、横川 凌^1,2、澤本 直美¹、上田 修²、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL)

キーワード：フォトダイオード、静電破壊、故障解析