09:45 〜 10:00 △ [15a-A301-2] 電子線照射による4H-SiC中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成 〇張 啓航1,2、佐藤 真一郎2、村田 晃一3、花輪 雅史3、元木 秀1,2、張 盛杰1,2、土田 秀一3、土方 泰斗1、大島 武2 (1.埼玉大院、2.量研、3.電中研)