[15a-A301-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-A301-3] SiO₂/SiC界面発光中心密度と電気的特性の相関

〇中沼 貴澄¹、田原 康佐²、木村 大至²、朽木 克博²、志村 考功¹、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大院工、2.豊田中研)

キーワード：炭化ケイ素、MOSデバイス、単一光子源

量子センサ等への応用で、SiC中の単一光子源（SPS）の活用が期待されている。実際、MOSデバイスで重要なSiO₂/SiC界面において、高輝度な発光を示すSPSが報告されている。しかし、発光中心の制御が課題となっている。我々は酸化後のCO₂熱処理によって、界面発光中心の密度及び光学特性が制御可能であることを見出した。本研究では、界面発光中心の密度とMOSデバイスの電気的特性の相関を詳細に調査した。