[15a-E102-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-E102-6] 透明導電膜 W 添加 In₂O₃ 薄膜特性へのポストアニール効果

〇(PC)Palani Rajasekaran¹、岡田 悠悟²、前原 誠²、北見 尚久^1,2、小林 信太郎³、稲葉 克彦³、牧野 久雄¹、木下 公男²、山本 哲也¹ (1.高知工科大総研、2.住友重機械（株)、3.（株）リガク)

キーワード：In2O3、薄膜

概要：これまで無アルカリガラス基板上に基板無加熱条件により得られたアモルファス状態及び固相結晶化後の多結晶酸化インジウム系薄膜特性を報告してきた。ホール効果測定結果の解析は、前記２つの異なる薄膜構造状態に拘わらず、電気抵抗率は比率= (膜厚 (t)/キャリア平均自由行程) により支配されるサイズ効果を明白とさせた。これは課題「比率の大きさ=1 前後で膜構造状態形成機構が異なる可能性」提案となる。本発表では前記課題解決への進捗を W 添加In2O3の成果を元に議論する。