2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

2023年3月15日(水) 13:00 〜 18:30 A404 (6号館)

山田 智明(名大)、清水 荘雄(物材機構)、内田 寛(上智大)、野田 実(京工繊大)

16:00 〜 16:15

[15p-A404-11] 強誘電体材料のPBW加工における残留水素量推定

平出 惇1、〇山口 正樹1,2、木村 秀夫3 (1.芝浦工大工、2.芝浦工大IRCGE、3.煙台大)

キーワード:強誘電体膜、プロトンビーム描画、残留水素量

強誘電体などの重金属を含む材料の加工には,集束プロトンビーム(PBW)が適していると考えている.しかしPBWは高い感光特性を示す一方で,電子線誘起反応とは異なり,照射水素が試料内に残留することになる.そこで本研究では,水素化アモルファスシリコンの含有水素量推定の手法を用い,残存水素量を推定した.測定の結果から残留量は0.3atm%程度と少なく,熱処理により除去できることが示唆された.