[15p-A404-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

[15p-A404-12] Local Structure Analysis of V-doped BiFeO₃ Thin Film by X-ray Fluorescence Holography

〇Kazuki Arima¹, Seiji Nakashima¹, Koji Kimura², Koichi Hayashi², Naohisa Happo³, Hironori Fujisawa¹ (1.Univ. of Hyogo, 2.Nagoya Inst. of Technology, 3.Hiroshima City Univ.)

Keywords:ferroelectric, BiFeO3, X-ray Fluorescence Holography

BiFeO₃(BFO)は自発分極の反転により導電性を変化させることができることから、強誘電性半導体として有力な材料である。また、BFO薄膜はMn等の遷移金属をドープすることで、導電性を変化することがよく知られている。本研究では、Mnとは異なる特性が得られると予測されているVをドープしたBFO薄膜を蛍光X線ホログラフィーにより評価した。