[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-A404-13] コンビナトリアルスパッタ法によるSi基板上(100)BiFeO₃エピタキシャル薄膜の成長

〇高木 昂平¹、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大院工)

キーワード：強誘電体薄膜、エピタキシャル膜、BiFeO3

近年センサーノードへの給電技術として環境中に存在する微小なエネルギーを利用する環境発電が注目を集めている。我々は簡易な構造かつ高い変換効率が期待できる圧電方式の振動発電に着目しており、巨大な自発分極を有する非鉛強誘電体であるBiFeO₃を用いたMEMS発電素子の開発に取り組んでいる。本発表では、コンビナトリアルスパッタ法を用いて、BiFeO₃のエピタキシャル成長に及ぼすBi供給量や成長温度の影響を調べた結果を報告する。