[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [15p-A404-2] スパッタリング法によるHfO₂-CeO₂強誘電体厚膜の非加熱合成

〇(M1)茶谷 那知¹、平井 浩司¹、安岡 慎之介¹、岡本 一輝¹、山岡 和希子²、井上 ゆか梨²、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.TDK株式会社)

キーワード：強誘電体、圧電体、スパッタリング法

近年HfO₂基強誘電体は数百nm以上の厚膜化が可能となり、圧電材料として注目されている。また、製膜時や製膜後に加熱しない非加熱合成においても優れた特性が発現することが見出された。本研究では、HfO₂基強誘電体厚膜の非加熱合成の詳細な検討を行い、フレキシブルな圧電センサへの応用を試みた。本研究では、スパッタリング法を使用し、製膜時や製膜後に加熱を行わない非加熱合成において強誘電特性を観測したため報告する。