[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-A404-6] 【注目講演】強誘電特性評価可能なオペランドレーザー励起光電子顕微鏡の開発

〇藤原 弘和¹、糸矢 祐喜²、小林 正治³、Bareille Cédric^4,5、辛 埴^5,6、谷内 敏之^4,5 (1.東大物性研、2.東大生産研、3.東大d.lab、4.東大新領域、5.東大MIRC、6.東大特別教授室)

キーワード：強誘電体、酸化物デバイス、光電子顕微鏡

HfZrO₄(HZO)を用いた強誘電体キャパシタはACストレス印加によって残留分極値の変動を起こす。本研究ではこの特性変動メカニズム解明のために、世界的に珍しい強誘電特性評価可能なレーザー励起光電子顕微鏡の開発を行なった。この装置によって典型的なHZOのサイクリングストレス特性を再現することに成功した。本成果は、HZOの特性変動メカニズム解明に繋がるものである。