[15p-B401-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15p-B401-8] Si₃N₄メタサーフェスを利用した半極性(20-21) InGaN円偏光素子の設計

〇村田 雄生¹、市川 修平^1,2、戸田 晋太郎^1,3、藤原 康文¹、小島 一信¹、中川 貴¹ (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター、3.アルバック協働研)

キーワード：メタサーフェス、円偏光、窒化インジウムガリウム

我々はこれまでに、InGaN量子井戸を用いた垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)と Si₃N₄メタサーフェスを組み合わせることで、高効率な円偏光生成が可能であることを提案した。しかしVCSELの作製には複雑なプロセスを要するといった課題が存在する。そこで本研究では、強く偏光した発光が得られる半極性面 InGaN 量子井戸 LEDを光源として想定し、円偏光変換効率を検討したので報告する。