[15p-B410-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-B410-13] 急速熱処理法によるInSb薄膜/ガラス基板の高品位形成

梶原 隆司¹、岡田 竜弥²、コスワッタゲー チャリット ジェヤナダ²、野口 隆²、〇佐道 泰造¹ (1.九大システム情報、2.琉大工)

キーワード：半導体、InSb

ガラス基板上におけるInSn薄膜の急速熱処理法(RTA)による結晶成長を検討した ので報告する。