[16a-A408-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [16a-A408-9] C-Si-OチャネルノーマリーオフダイヤモンドMOSFETの高周波動作特性

〇(B)賈 学テイ¹、高橋 輝¹、Fu Yu^1,3、浅井 風雅¹、太田 康介¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研、3.電子科技大学)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFETs、ノーマリーオフ動作

本研究では、初の高周波測定可能なC-Si-Oチャネル高周波ダイヤモンドMOSFETを作製し、そのノーマリーオフ動作および高周波特性を報告する。作成したデバイスはV_DS = -10 Vでノーマリーオフ動作を示し、ノーマリーオフ動作が必要である相補型パワー高周波回路への応用が期待される。