[16a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [16a-B410-7] 二酸化スズの吸光特性を利用した波長センサ

〇太田 涼介¹、割澤 伸一¹、米谷 玲皇¹ (1.東大工)

キーワード：二酸化スズ、波長センサ

本研究では、光通信技術などの高度化に資する波長計測デバイスを目的として、SnO₂薄膜の吸光特性を用いたCバンド（1530 nm ~ 1565 nm）用の波長センシングデバイスを開発した。吸光を用いた波長センシングが可能であることを確認するとともに、SnO₂の膜厚、アニール温度を変えることで分解能を向上できる可能性を見出した。成膜条件の違いによる光学特性の変化と、波長センシングに与える影響について報告する。