[17a-A403-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17a-A403-7] 200 nm SOI MOSFETの極低温下における基板バイアス効果及び履歴現象

〇森 貴之¹、杉井 辰吉¹、李 龍聖¹、岡 博史²、森 貴洋²、井田 次郎¹ (1.金沢工大、2.産総研)

キーワード：MOSFET、SOI、極低温

量子コンピュータの量子ビット数を増やすためには配線数の増大及びそこからの熱流入がボトルネックとなっており, 解決のためにCryo-CMOS技術の研究開発が行われている. その中で, SOI技術は基板バイアスによってしきい値電圧を制御することが可能なため, 低消費電力Cryo-CMOSの実現が期待できる. 本稿では, ラピスセミコンダクタ社の200 nm SOI MOSFETを用いて極低温下(3 K)における基板バイアス効果及び3 K下でのみ起こる履歴現象を確認したので報告する.