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[17p-A301-10] GaNにおけるMgアクセプターの拡散機構の理論的検討
キーワード:p型GaN、原子拡散、第一原理計算
GaNの次世代パワーデバイスでの用途において局所選択的p 型ドーピングが重要な技術となるが、超高圧高温でアニールする方法によってMgイオン注入により高品質なp 型 GaNが実現しつつある。そのため、p型GaNのアクセプター原子であるMg原子の振る舞いの理解は重要であり、本研究ではGaN中のMgアクセプターおよびその拡散機構を第一原理計算から解明していく。