[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-2] HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対する TR-PL 信号の相違

〇石井 達也¹、宇佐美 茂佳²、勇介 森²、渡邉 浩崇³、新田 州吾³、本田 善央³、天野 浩³、加藤 正史¹ (1.名工大院工、2.阪大院工、3.名大未来研)

キーワード：半導体

エピ構造は同じで、基板のみハイドライド気相成長(HVPE)基板から酸化物気相成長(OVPE) 基板に変更した GaN 試料について、I-V 特性から電導度変調が起こっている可能性が見受けられた。そこで、HVPE 基板とOVPE 基板を用いたときのGaNエピ層のフォトルミネッセンス(PL) 測定を実施し、キャリアライフタイムに相違がないかを検討した。