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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月18日(土) 13:00 〜 16:30 B401 (2号館)

岩谷素顕(名城大)、市川修平(阪大)

15:45 〜 16:00

[18p-B401-11] AlN/AlGaNヘテロ界面に誘起される2次元電子ガスマルチチャネル構造の作製と評価

〇小坂鷹生¹、上野耕平¹、小林篤¹、藤岡洋¹ (1.東大生研)

キーワード：窒化アルミニウムガリウム、スパッタリング、エピタキシー