[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-B5-6] 前駆体二段階生成HVPE法によるIn極性およびN極性InNの高速成長

^○斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 (東京農工大院工)

キーワード：半導体, InN, HVPE