[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19p-C8-11] 数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(Ⅴ)

^○中原雄太¹，永田祐介¹，鈴木佑弥¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

キーワード：CMOS,不純物,フォノン閉じ込め効果