[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19p-C8-9] 数 nm-CMOS 素子用 2DSi 層の検討（III）：量子的閉じ込め効果の異方性

^○永田祐介¹，中原雄太¹，鈴木佑弥¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

キーワード：2DSi