[28a-G2-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[28a-G2-11] △GaAs基板上GaSb MOS 構造の作製 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○（B）後藤高寛^1,2，原紳介¹，藤代博記¹，小倉睦郎²，安田哲二²，前田辰郎² (東理大基礎工¹，産総研²)

キーワード：GaSb、Al2O3