2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.5 Siプロセス技術

[28p-G6-1~17] 13.5 Siプロセス技術

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:30 G6 (B5号館 1F-2106)

[28p-G6-15] △三次元構造デバイス応用に向けたCO2レーザーアニールによる積層多結晶シリコン薄膜の形成 (5:45 PM ~ 6:00 PM)

○(DC)山崎浩司1,町田絵美1,堀田昌宏1,2,石河泰明1,2,浦岡行治1,2,池上浩3 (奈良先端科学技術大学院大1,戦略的創造研究推進事業2,九大3)

キーワード:laser