[17p-A16-1~14] 13.4 デバイス／集積化技術

[17p-A16-10] 三次元Finチャネルを用いたMANOS型フラッシュメモリの作製及び電気特性評価

^○柳永勛¹，生田目俊秀²，松川貴¹，遠藤和彦¹，大内真一¹，塚田順一¹，山内洋美¹，石川由紀¹，水林亘¹，森田行則¹，右田真司¹，太田裕之¹，知京豊裕²，昌原明植¹ (産総研¹，物材研²)

キーワード：Flash memory,FinFET