[17p-A27-1~14] 14.3電子デバイス・プロセス技術，15.4III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

[17p-A27-10] AlGaN/GaN系Pチャネル型HFETにおけるリーク電流制御

^○萱沼怜¹，久保田俊介¹，中島昭³，西澤伸一³，大橋弘通^2,3，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大フロンティア研²，産総研³)

キーワード：半導体,GaN,デバイス