09:00 〜 09:15
[18a-E13-1] 薄いAlN/GaN超格子中間層によるSi基板上に成長されたGaN歪み変調のメカニズム
キーワード：GaN,Si,MBE
講演情報
一般セッション(口頭講演)
15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶
[18a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶
2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:00 E13 (E301)
一般セッション(口頭講演)
15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶
2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:00 E13 (E301)
09:00 〜 09:15
キーワード：GaN,Si,MBE