^○（D）孫政³，永山勉¹，渡邊哲也²，本田善央³，天野浩^3,4 (Nissin Ion Equipment Co., Ltd.¹，Nissin Electric Co., Ltd.²，Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya Univ.³，Akasaki Research Center, Nagoya Univ.⁴)

一般セッション(口頭講演)

[20a-E13-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月20日(木) 09:00 〜 11:45 E13 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[20a-E13-1] Gd添加GaN薄膜中の原子空孔型欠陥の陽電子消滅法による評価

^○（PC）籔内敦¹，大島永康¹，ブライアンオロークE.¹，鈴木良一¹，伊藤賢志¹，佐野壮太²，東晃太郎²，周逸凱²，長谷川繁彦² (産総研¹，阪大産研²)

09:15 〜 09:30

[20a-E13-2] GdドープGaN中の格子空孔の理論研究

^○白井光雲，NugrahaTauFik，江村修一，小口多美夫 (阪大産研)

09:30 〜 09:45

[20a-E13-3] UHVスパッタエピタキシーによるInN層の成長

^○小橋勇希，多田暁由，福井迪，笹原駿介，比留間翔太，増田貴則，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

09:45 〜 10:00

[20a-E13-4] YSZ基板上極薄膜InNを用いた電界効果トランジスタ

^○大関正彬¹，小林篤¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

10:00 〜 10:15

△ [20a-E13-5] 高感度な窒化物半導体HFET型ソーラーブラインド紫外光センサー

^○（M1）村瀬卓弥¹，石黒真未¹，山田知明¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇² (名城大・理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

休憩 10:15〜10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[20a-E13-6] AlNの励起子束縛エネルギー：電子正孔交換相互作用と励起子格子相互作用

^○石井良太，船戸充，川上養一 (京大院・工)

10:45 〜 11:00

[20a-E13-7] 第一原理多電子項計算によるV添加AlN光学スペクトル解析

^○園田早紀¹，小笠原一禎²，櫻井芳昭³ (京都工繊大工芸¹，関西学院大理工²，大阪産技研³)

11:00 〜 11:15

[20a-E13-8] AlGaN系量子井戸構造の高温PL測定

早川裕也¹，福野智規¹，中村豪仁¹，倉井聡¹，三宅秀人²，平松和政²，^○山田陽一¹ (山口大院・理工¹，三重大院・工²)

11:15 〜 11:30

[20a-E13-9] Temperature Dependent Exciton Dynamics in Al-rich AlGaN/AlN Quantum Wells Assessed by Cathodoluminescence Mapping Measurements

^○大音隆男¹，岩田佳也¹，DavidGachet²，MalikBenameur²，RyanBanal¹，船戸充¹，川上養一¹ (京大院工¹，Attolight AG²)

11:30 〜 11:45

△ [20a-E13-10] Co-existence of a few and sub μm inhomogeneity in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells

^○（D）岩田佳也¹，大音隆男¹，DavidGachet²，MalikBenameur²，RyanBanal¹，船戸充¹，川上養一¹ (京大院工¹，Attolight AG²)

一般セッション(口頭講演)

[20p-E13-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 E13 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食 11:45〜13:00 （11:45 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

△ [20p-E13-1] PSD法により成長したInGaN薄膜の光学特性評価

^○上野耕平¹，野口英成²，太田実雄²，藤岡洋^2,3，尾嶋正治¹ (東大放射光¹，東大生研²，JST-CREST³)

13:15 〜 13:30

[20p-E13-2] InGaN/GaN多重量子井戸構造における輻射および非輻射再結合寿命の励起エネルギー密度依存性

^○室谷英彰¹，杉浦藤虎¹，山田陽一²，本田善央³，天野浩³ (豊田高専¹，山口大院・理工²，名大院・工³)

13:30 〜 13:45

△ [20p-E13-3] 半極性(11\overline{2}2)GaN基板上InGaN単一量子井戸における面内発光分布の近接場光学顕微鏡による評価

^○尾崎拓也，西中淳一，金田昭男，船戸充，川上養一 (京大院工)

13:45 〜 14:00

[20p-E13-4] 縮退型ポンプ-プローブ法によるInNの超高速ダイナミクス観測

^○今井大地¹，森田健¹，塚原捷生¹，石谷善博¹，馬ベイ¹，王新強²，草部一秀³，吉川明彦³ (千葉大院工¹，北京大物理²，千葉大SMART³)

14:00 〜 14:15

△ [20p-E13-5] InNの非輻射再結合速度決定機構におけるキャリア・フォノン輸送特性

^○今井大地¹，石谷善博¹，王新強²，草部一秀³，吉川明彦³，森田健¹，馬ベイ¹ (千葉大院工¹，北京大物理²，千葉大SMART³)

14:15 〜 14:30

△ [20p-E13-6] 銀ナノ粒子による電場増強効果を用いたGaN最表面のラマン測定

^○今井亮佑，小瀬村大佑，シティノルヒダヤーモハマドユソフ，木嶋隆浩，山本章太郎，小椋厚志 (明治大)

14:30 〜 14:45

[20p-E13-7] 窒化物半導体におけるABCモデルの時間分解PL測定による直接検証

^○真鍋仁志¹，河上航平¹，後藤裕輝²，砂川晴夫²，松枝敏晴²，岡田愛姫子³，篠原秀敏⁴，後藤博史⁴，水野潤³，碓井彰²，山口敦史¹ (金沢工大¹，古河機械金属²，早大³，東芝機械⁴)

14:45 〜 15:00

[20p-E13-8] GaN励起子発光のフォノンレプリカに着目した励起子運動量および再結合過程の解析

^○高橋賢治¹，後藤圭¹，今井大地¹，森田健¹，石谷善博¹，三宅秀人²，平松和政²，馬?¹ (千葉院工¹，三重院工²)

一般セッション(ポスター講演)

[20a-PG1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月20日(木) 09:30 〜 11:30 PG1 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-1] サファイア基板上へのScN薄膜のヘテロエピタキシャル成長とその電気特性

^○大垣武，渡邉賢，坂口勲，大橋直樹，羽田肇 (物材機構)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-2] 酸化アルミニウムマスクを用いた電流制御型液相成長によるGaN選択成長

^○高倉宏幸，冨田将史，神林大介，岩川宗樹，水野陽介，山田純平，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大理工)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-3] レイリー数の違いを考慮したアモノサーマル法によるGaNバルク単結晶育成時の熱流体解析

^○増田善雄¹，冨田大輔²，横山千昭² (産総研¹，東北大多元研²)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-4] Mgドープによるp-InAlNの結晶成長および評価

^○（M1）伊藤達也，渡邉新，森健太郎，小野田侑太，江川孝志 (名工大院)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-5] AlGaN/GaN超格子分極によるp型伝導の温度依存性

^○石井貴大¹，本田善央¹，山口雅史¹，天野浩^1,2 (名大¹，赤崎記念研究センター²)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-6] Al組成の異なるAl_xGa_1-xN薄膜のカソードルミネッセンス法による局所スペクトル評価

^○倉井聡¹，合田直樹¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹ (山口大院理工¹，三重大院工²)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-7] AlGaN/GaN結晶成長に用いる炭化Si表面のXPS解析

^○（M2）坂本達哉^1,2，高橋言緒²，井手利英²，清水三聡²，生方映徳³，佐藤貴之³，田渕俊也³，高梨良文¹ (東理大院¹，産総研²，大陽日酸³)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-8] 水銀プローブによるInGaN厚膜の電気的評価

^○中野由崇¹，長谷川文夫¹，SangLiwen²，角谷正友² (中部大¹，物材機構²)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-9] 低転位密度GaN基板上に作製したInGaN系LEDのdroop低減

^○（DC）山下康平¹，杉山智彦³，岩井真³，本田善央¹，吉野隆史³，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑記念研究センター²，日本ガイシ³)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-10] 自立{20-21}GaN基板を用いたInGaN系LED構造の作製

^○傳寶裕晶，光井勇祐，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-11] 加工Si基板上半極性(1-101)GaN/InGaN MQWの高品質化

^○曾根康和¹，久志本真希¹，本田善央¹，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤崎記念研究センター²)

09:30 〜 11:30

△ [20a-PG1-12] 窒化物系青色LEDにおける光取り出し効率改善のためのレーザ加工方法の検討

^○（B）花井駿¹，鈴木敦志^1,2，北野司^1,2，梅田慎也¹，加藤貴久¹，上山智¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,3 (名城大理工¹，ELSEED²，赤崎記念研究センター³)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-13] GaInNのRF-MBE成長とpn ホモ接合型青緑色LEDの製作

^○（B）鳴谷建人¹，山口智広¹，KeWang²，荒木努²，名西やすし²，LiwenSang³，角谷正友³，藤岡秀平¹，尾沼猛儀^4,1，本田徹¹ (工学院大¹，立命館大²，物材機構³，東京高専⁴)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-14] AlONバッファー層を用いたサファイア基板上へのAlN のRF-MBE成長

^○牧本俊樹¹，熊倉一英²，前田理也¹，小林祐輝¹，山本秀樹²，堀越佳治¹ (早大理工¹，NTT物性基礎研²)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-15] RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長

^○（M2）五十嵐健¹，折原操¹，八木修平¹，土方泰斗¹，窪谷茂幸²，片山竜二²，矢口裕之¹ (埼玉大院理工¹，東北大金研²)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-16] MOMBEを用いたGaN初期成長に与えるN₂マイクロプラズマ処理の効果

^○鈴木陽平¹，内山翔太¹，丸山隆浩¹，成塚重弥¹，清水一男²，野間悠太²，金田省吾² (名城大理工¹，静岡大工²)

09:30 〜 11:30

[20a-PG1-17] RFスパッタリング法によるGaN薄膜の低温成長と熱処理効果に関する研究

青砥伸平¹，^○豊田英之¹，柴田知也¹，齋藤真司²，内富直隆¹ (長岡技科大¹，東芝²)

セッション一覧

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17a-E13-4] p型GaN上のAg電極を用いた高反射電極の検討

△ [17a-E13-5] 電子オーバーフロー直接観測を用いた青色LED電子ブロック層の検討

△ [17a-E13-6] 分極制御による紫外発光素子のホール注入の検討

△ [17a-E13-7] Ⅲ族窒化物半導体トンネル接合上の高効率LED

△ [17a-E13-8] III族窒化物半導体埋込みトンネル接合による電流狭窄構造

△ [17a-E13-10] GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性

△ [17a-E13-11] MOVPE成長 －c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

[17p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

▲ [17p-E13-1] Phase separation of MOVPE-grown thick (〜1 µm) InxGa1-xN (x〜0.3)(I): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

▲ [17p-E13-2] Phase separation of MOVPE-grown thick (〜1 µm) InxGa1-xN(x〜0.3)(II): Suppression of the phase separation

△ [17p-E13-4] 蛍光顕微鏡と2次イオン質量分析を用いたGaInN薄膜の不均一評価

▲ [17p-E13-6] RF-MBE成長SMART太陽電池の接合特性改善

△ [17p-E13-7] 窒化物半導体HFET型UV光センサーの火炎センサー応用

△ [17p-E13-15] MOCVD選択成長による高品質InGaNナノワイヤ量子ドットの形成

▲ [17p-E13-18] Polarization Properties of Single Zinc-Blende GaN/AlN Quantum Dots

[18a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-E13-6] 高温スパッタ法により堆積したAlNバッファ層に関する検討

△ [18a-E13-7] Ti初期配向層導入によるSi基板上スパッタAlNの配向性向上

△ [18a-E13-8] ScAlMgO4基板上におけるGaNのMOVPE成長

▲ [18a-E13-11] III族原料流量変調エピタキシーによるN-face GaN(000-1)選択成長

[18p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18p-E13-4] Naフラックス結合成長法における成長ハビットと転位挙動の関係

△ [18p-E13-11] GaN自立基板のサーマルクリーニング

△ [18p-E13-12] 非接触超音波共振法による高温における高抵抗GaNのキャリアダイナミクスおよび圧電性消失の観測

△ [18p-E13-13] HVPE法による周期溝加工AlN自立基板へのホモエピタキシャル成長

[19a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

▲ [19a-E13-1] Radiation Properties of M-plane AlGaN MQW Light-Emitting Diodes

△ [19a-E13-2] サファイア上AlGaN 多重量子井戸構造における格子緩和層の影響

△ [19a-E13-3] n+Si基板上縦型深紫外LEDの開発（2）

△ [19a-E13-5] 半極性面AlGaN/AlN量子井戸発光の面内偏光制御

△ [19a-E13-6] MOVPE法を用いた高品質AlInNの高速成長

△ [19a-E13-7] 高成長速度AlInNによる窒化物半導体多層膜反射鏡

△ [19a-E13-9] 半極性(11-22)InGaN/AlGaN応力補償超格子のコヒーレント成長

▼ [19a-E13-11] Pre-sputter Technology for GaN Acceptor Doping by Mg-ion Implantation

[20a-E13-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20a-E13-5] 高感度な窒化物半導体HFET型ソーラーブラインド紫外光センサー

△ [20a-E13-10] Co-existence of a few and sub μm inhomogeneity in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells

[20p-E13-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-E13-1] PSD法により成長したInGaN薄膜の光学特性評価

△ [20p-E13-3] 半極性(11\overline{2}2)GaN基板上InGaN単一量子井戸における面内発光分布の近接場光学顕微鏡による評価

△ [20p-E13-5] InNの非輻射再結合速度決定機構におけるキャリア・フォノン輸送特性

△ [20p-E13-6] 銀ナノ粒子による電場増強効果を用いたGaN最表面のラマン測定

[20a-PG1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20a-PG1-12] 窒化物系青色LEDにおける光取り出し効率改善のためのレーザ加工方法の検討

△ [17a-E13-11] MOVPE成長－c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

▲ [17p-E13-1] Phase separation of MOVPE-grown thick (〜1 µm) In_xGa_1-xN (x〜0.3)(I): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

▲ [17p-E13-2] Phase separation of MOVPE-grown thick (〜1 µm) In_xGa_1-xN(x〜0.3)(II): Suppression of the phase separation

△ [18a-E13-8] ScAlMgO₄基板上におけるGaNのMOVPE成長

△ [19a-E13-3] n⁺Si基板上縦型深紫外LEDの開発（2）